
sti divot
由于STIcorner处的Oxide应力较大,所以在HF蚀刻过程中吃的比较快,所以很容易凹下去形成divot,而这里的Polydepo时候也容易凹下去,所以Gate电场在这里会发生变化,导致此处的 ...,但由于局部应力集中,很容易会在sti界面处(sio2接近硅的有源区域)的角边缘过度腐蚀...
A robust shallow trench isolation (STI) with SiN pull
TheSiNpull-backprocessisknownforreducingdivotaroundthetopcomerinconventionalSTI.BothLOCOSandPB-STIcanresultindivotfree.Itisalso ...
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